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HC 能動素子の分類ページ 目次
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■ HC01 半導体全般
■ HC02 ダイオード
■ HC03 バイポーラトランジスタ
■ HC04 電界効果トランジスタ(FET)
■ HC05 集積回路
■ HC06 電子管
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■ HC01 半導体全般
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HC0101 |
各種ダイオード・半導体素子の名称と動作原理や特徴 |
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Keyword |
ダイオード |
PN接合 |
負性抵抗 |
空乏層 |
ショットキー効果 |
ツェナー効果 |
トンネル効果 |
光電効果 |
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Keyword |
マイクロ波発振器 |
インパットダイオード |
ガンダイオード |
クライストロン |
マグネトロン |
アバランシェ効果 |
ガン効果 |
集群作用 |
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HC0103 |
フォトトランジスタの特徴とフォトダイオードとの比較 |
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Keyword |
フォトトランジスタ |
フォトダイオード |
増幅作用 |
高感度 |
フォトカプラ |
フォトインタラプタ |
2端子素子 |
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出題時期 |
H1708A06 |
H2008B02 |
H2108A07 |
H2408B02 |
H2604B02 |
H2812B02 |
H3004B01 |
H3309A06 |
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HC0104 |
トランジスタと電界効果トランジスタの図記号とバイポーラ・MOS形の判別、性質 |
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Keyword |
トランジスタ |
電界効果トランジスタ |
図記号 |
MOS形 |
接合形 |
バイポーラ形 |
Nチャネル |
Pチャネル |
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出題時期 |
H1804A06 |
H2008A06 |
H2212A08 |
H2412A07 |
H2708A08 |
H2904A07 |
H3004A07 |
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[Top]↑ [End]↓ [HC01]↑ [HC02]↓
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■ HC02 ダイオード
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HC0201 |
フォトダイオードの動作原理と、光量を増加させた時の電流の増減の関係 |
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Keyword |
フォトダイオード |
正孔 |
電子 |
PN接合面に光照射 |
逆バイアス |
接合部の電界 |
光量と電流が比例 |
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HC0202 |
可変容量ダイオード(バリキャップ)の動作原理。印加電圧と空乏層の厚さの関係 |
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Keyword |
可変容量ダイオード |
空乏層 |
キャリア |
厚さ |
逆バイアス |
静電容量 |
バラクタ |
マイクロ波発振 |
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HC0203 |
トンネルダイオードの特徴(不純物濃度・負性抵抗・用途) |
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Keyword |
トンネルダイオード |
極めて高い不純物濃度 |
電子の通り抜け |
トンネル効果 |
負性抵抗 |
マイクロ波発振 |
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Keyword |
サーミスタ |
金属酸化物 |
焼結 |
温度係数 |
抵抗率 |
NTCサーミスタ |
PTCサーミスタ |
突入電流防止 |
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Keyword |
バリスタ |
電圧上昇で抵抗値低下 |
端子電圧 |
過電圧保護 |
サージアブソーバー(避雷器) |
スパークキラー |
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HC0206 |
各種ダイオードの名称と電気的動作の対応 |
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Keyword |
ダイオード |
ツェナーダイオード |
トンネルダイオード |
バラクタダイオード |
発光ダイオード |
ガンダイオード |
バリスタ |
サーミスタ |
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HC0207 |
発光ダイオード(LED)の構造と動作 |
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Keyword |
発光ダイオード |
構造 |
動作原理 |
順方向電流 |
再結合による発光 |
発光波長 |
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出題時期 |
H1812A07 |
H2012A07 |
H2204A05 |
H2408A06 |
H2608A06 |
H2712A06 |
H3104A07 |
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HC0208 |
サージ保護デバイスの保護動作の原理と求められる特性 |
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Keyword |
サージ保護デバイス |
避雷器 |
非直線性 |
バリスタ |
ガス入り放電管(GDT) |
サイリスタ |
静電容量 |
応答時間 |
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HC0209 |
ある電圧-電流特性を持つPN接合ダイオードを直列にした場合の電圧-電流特性 |
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Keyword |
ダイオード |
電圧-電流特性 |
直列の特性 |
順方向電圧 |
閾値電圧 |
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出題時期 |
H2904A06 |
H3112A06 |
H3404A06 |
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-------- |
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[Top]↑ [End]↓ [HC01]↑ [HC03]↓
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■ HC03 バイポーラトランジスタ
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HC0301 |
トランジスタ増幅回路の接地方式ごとの、電流・電力増幅度の比較 |
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Keyword |
トランジスタ増幅回路 |
電流増幅度 |
電力増幅度 |
入力インピーダンス |
周波数特性 |
エミッタ接地 |
コレクタ接地 |
ベース接地 |
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HC0302 |
トランジスタ回路で、ベースバイアスとコレクタ電源の極性が正しい組合せ |
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Keyword |
トランジスタ回路 |
ベースバイアス電源 |
コレクタ電源 |
極性 |
電流制御素子 |
B-Eは順方向 |
B-Cは逆方向 |
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HC0303 |
トランジスタの電気的特性(直流特性・周波数特性) |
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Keyword |
トランジスタ |
電流増幅率 |
トランジション周波数 |
利得帯域幅積 |
α遮断周波数 |
β遮断周波数 |
遮断電流 |
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HC0304 |
トランジスタの電気的特性(周波数特性) |
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Keyword |
トランジスタ |
周波数特性 |
トランジション周波数 |
利得帯域幅積 |
α遮断周波数 |
β遮断周波数 |
周波数特性 |
-------- |
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HC0305 |
ダーリントン接続のトランジスタのhFEと個々のトランジスタのhFEの関係 |
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Keyword |
トランジスタ |
ダーリントン接続 |
個々のトランジスタ |
一つのトランジスタ |
直流電流増幅率 |
近似式 |
ベース電流 |
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出題時期 |
H3209A09 |
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HC0306 |
トランジスタのhパラメータと特性曲線グラフの対応 |
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Keyword |
トランジスタの静特性 |
静特性曲線 |
hパラメータ |
入力アドミタンス |
入力インピーダンス |
電流増幅率 |
電圧帰還率 |
傾き |
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出題時期 |
H3212A06 |
H3404A07 |
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[Top]↑ [End]↓ [HC02]↑ [HC04]↓
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■ HC04 電界効果トランジスタ(FET)
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HC0401 |
FETの説明文で、動作原理、接合形とMOS形の比較、GaAsの特性等 |
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Keyword |
電界効果トランジスタ |
電圧制御素子 |
接合形 |
MOS形 |
入力インピーダンス |
チャネル |
エンハンスメント形 |
デプレッション形 |
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HC0402 |
高周波用及び一般のFETの説明文で、動作原理、構造の比較 |
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Keyword |
電界効果トランジスタ |
高周波用 |
電子移動度 |
ガリウム砒素(GaAs) |
接合形 |
MOS形 |
デュアルゲート |
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HC0403 |
電界効果トランジスタの相互コンダクタンスの定義 |
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Keyword |
電界効果トランジスタ |
相互コンダクタンス |
ドレイン電流 |
ゲート・ソース間電圧 |
定義 |
VDS一定 |
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出題時期 |
H1704A07 |
H1808A07 |
H2112A07 |
H2404A08 |
H2604A07 |
H2708A07 |
H2912A08 |
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HC0404 |
FETとバイポーラTrの入力インピーダンス、ノイズ、熱暴走等の比較 |
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Keyword |
電界効果トランジスタ |
バイポーラトランジスタ |
入力インピーダンス |
電圧制御形 |
熱暴走 |
低雑音 |
エミッタ接地 |
ソース接地 |
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出題時期 |
H1912B02 |
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HC0405 |
FET増幅回路の種類の名称と、各々の特性の対応 |
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Keyword |
FET増幅回路 |
ソース接地 |
ゲート接地 |
ドレイン接地 |
インピーダンス変換 |
電圧増幅度 |
帰還 |
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出題時期 |
H2012A08 |
H2308A08 |
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HC0406 |
接合形FETのバイアスの掛け方と相互コンダクタンス |
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Keyword |
接合形FET |
バイアス電圧の極性 |
相互コンダクタンス |
ドレイン・ソース間電圧 |
ゲート・ソース間電圧 |
ドレイン電流 |
ゲート電圧が零の時 |
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出題時期 |
H3209A07 |
H3312A06 |
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[Top]↑ [End]↓ [HC03]↑ [HC05]↓
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■ HC05 集積回路
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HC0501 |
無線機器に用いられるDSPの動作原理と特徴 |
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Keyword |
デジタルシグナルプロセッサ |
デジタル信号処理 |
A/D変換 |
D/A変換 |
ソフトウェア |
積和演算 |
処理の柔軟性 |
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出題時期 |
H2404A15 |
H2504A09 |
H2804A09 |
H3104A10 |
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[Top]↑ [End]↓ [HC04]↑ [HC06]↓
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■ HC06 電子管
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Keyword |
ブラウン管 |
熱電子放出 |
カソード |
加速電極 |
電子ビーム |
偏向板 |
蛍光体 |
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[Top]↑ [End]↓ [HC05]↑ [End]↓
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