■ 無線工学を学ぶ
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(1) 無線工学の基礎
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年度別問題一覧
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H11年 4月期,8月期,12月期
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H12年 4月期,8月期,12月期
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H13年 4月期,8月期,12月期
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H14年 4月期,8月期,12月期
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H30年 4月期,8月期,12月期
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R01年 4月期,8月期,12月期
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R02年 4月期,9月期,12月期
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R03年 4月期,9月期,12月期
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R04年 4月期,8月期,12月期
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分野別問題一覧
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A 電気物理, B 電気回路
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C 能動素子, D 電子回路
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E 送信機, F 受信機
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G 電源, H アンテナ&給電線
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I 電波伝搬, J 計測
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無線工学 > 1アマ > R04年12月期無線工学の基礎 1アマ無線工学令和04年12月期 の目次解説・解答を見るには、問題右下の[X-25 解説・解答]をクリックして下さい。 |
■ 概要
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No. |
Code |
問題要約 |
A-01 |
HA0306 |
真空中の平行平板コンデンサの電極間に任意の厚みの誘電体を入れた時の容量計算 |
A-02 |
HA0404 |
同一平面上に置いた径の異なるコイルに流れる電流による合成磁界の計算 |
A-03 |
HB0108 |
Y−Δ変換、Δ−Y変換を使うと簡単になる回路網の計算 |
A-04 |
HB0303 |
交流電源と抵抗とリアクタンスからなる回路網の計算 |
A-05 |
HB0601 |
CRまたはLRからなる2素子の回路の矩形波に対する時間応答波形 |
A-06 |
HC0206 |
各種ダイオードの名称と電気的動作の対応 |
A-07 |
HC0401 |
FETの説明文で、動作原理、接合形とMOS形の比較、GaAsの特性等 |
A-08 |
HD0305 |
電圧制御型水晶発振器、温度補償型水晶発振器、恒温槽型水晶発振器のそれぞれの特徴 |
A-09 |
HD0304 |
ハートレー回路で、共振回路のコンデンサ容量変化時の周波数の変化率計算 |
A-10 |
HD0101 |
オペアンプを用いた反転or非反転増幅回路の電圧増幅度・帰還抵抗値の計算 |
A-11 |
HE0301 |
AM変調で、変調度や送信電力、送信出力電圧、搬送波電力との比等を計算 |
A-12 |
HD0403 |
移相法によるSSB変調器の構造と原理、フィルタ法との比較 |
A-13 |
HF0507 |
周波数偏移通信(F1B:RTTY)の動作原理 |
A-14 |
HF0503 |
FM受信機の振幅制限器の動作原理 |
A-15 |
HF0705 |
受信機の高周波増幅段の相互変調ひずみとインターセプトポイントの説明 |
A-16 |
HG0202 |
単相倍電圧整流回路の回路図。入力交流電圧の実効値から出力電圧の計算 |
A-17 |
HG0407 |
電圧可変形の直列形定電圧回路の出力電圧が一定になる動作原理 |
A-18 |
HG0707 |
シリコン太陽電池の構造と動作原理 |
A-19 |
HH0306 |
同軸トラップで偶数次高調波が除去できる原理 |
A-20 |
HJ0605 |
スミスチャートとそれを用いたインピーダンス、VSWR、反射係数の読み方 |
A-21 |
HI0505 |
デリンジャ現象の起こるメカニズムと特徴 |
A-22 |
HH0803 |
2点間距離、アンテナ高、周波数、送信電力から近似式で電界強度を計算 |
A-23 |
HI0602 |
VUHF帯で生じるフェージングの特徴。フェージングの名前 |
A-24 |
HJ0607 |
FM波の占有周波数帯幅をスペクトルアナライザを用いて測定する方法 |
A-25 |
HH0204 |
進行波電力と反射波電力、VSWRの測定と計算 |
B-01 |
HA0401 |
磁界と磁極に働く力についての説明 |
B-02 |
HD0108 |
エミッタホロワ増幅回路の特徴と動作 |
B-03 |
HF0301 |
AGC回路の働き |
B-04 |
HH0705 |
アンテナの放射パターンの見方と半値角、F/B比等のパラメータの意味 |
B-05 |
HJ0801 |
周波数カウンタのブロック図と動作原理 |
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既出・類問については、以下の表から類似問題の解答・解説を参照下さい。 (H21年度以降は新問のみを解答・解説の対象としています。)
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A-03 |
図に示す回路において、端子ab間の合成抵抗の値として、正しいものを下の番号から選べ。
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1 |
(2/5)R [Ω] |
2 |
(4/5)R [Ω] |
3 |
(6/7)R [Ω] |
4 |
(8/7)R [Ω] |
5 |
(10/7)R [Ω] |
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Fig.H3412A03a
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-03]↑ [A-04]↓ [A-03 解説・解答]
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A-04 |
図に示す回路において、交流電源電圧の瞬時値vが100√2sinωt [V]、抵抗Rが20 [Ω]及びコンデンサCのリアクタンスが20 [Ω]であるとき、電源から流れる電流i [A]を表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、角周波数をω [rad/s]、時間をt [s]とする。
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-03]↑ [A-06]↓ [A-04 解説・解答]
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A-06 |
ガンダイオードについての記述として、正しいものを下の番号から選べ。
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1 |
一定値以上の逆方向電圧が加わると、電界によって電子がなだれ現象を起こし、電流が急激に増加する特性を利用する。 |
2 |
PN接合に逆方向電圧を加え、この電圧を変化させると等価的に可変静電容量として働く特性を利用する。 |
3 |
電波を吸収すると温度が上昇し、抵抗の値が変化する素子で、マイクロ波帯の電力計に利用される。 |
4 |
PN接合の不純物を極端に多くした場合、ある領域では電圧を増加しても電流が減少する負性抵抗特性を持つ。この領域を利用してマイクロ波からミリ波の発振等に利用されている。 |
5 |
N型のGaAs(ガリウムヒ素)などの化合物半導体結晶に、強電界を加えたときに生じる高周波電流を利用して、マイクロ波帯の発振器等に用いられる。 |
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-04]↑ [A-07]↓ [A-06 解説・解答]
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A-07 |
次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、ゲート(G)−ソース(S)間電圧VGS及びドレイン(D)電流IDは図1の矢印で示した方向を正(+)とする。
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(1) |
図1に示す図記号の電界効果トランジスタ[A]チャネルで、[B]形である。 |
(2) |
(1)の伝搬特性の概略図を、VDS [V]とID [A]間の特性で示すと、[C]である。 |
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Fig.H3412A07a
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Fig.H3412A07b
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A |
B |
C |
1 |
P |
MOS(絶縁ゲート) |
図3 |
2 |
P |
接合 |
図2 |
3 |
N |
MOS(絶縁ゲート) |
図3 |
4 |
N |
接合 |
図3 |
5 |
N |
MOS(絶縁ゲート) |
図2 |
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-06]↑ [A-18]↓ [A-07 解説・解答]
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A-18 |
次の記述は、シリコン太陽電池について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
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(1) |
太陽電池の素子に太陽光などの光を照射すると、pn接合部で光は吸収され、そのエネルギーにより電子とホールが励起されて、p側が[A]、n側が[B]に帯電する。 |
(2) |
シリコン太陽電池には、発電した電力を蓄える蓄電機能[C]。 |
(3) |
シリコン太陽電池は、一般に電池パネル面(pn接合部)の温度上昇に伴い、変換効率が[D]する。 |
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A |
B |
C |
D |
1 |
負 |
正 |
がある |
低下 |
2 |
負 |
正 |
がある |
上昇 |
3 |
負 |
正 |
はない |
低下 |
4 |
正 |
負 |
はない |
上昇 |
5 |
正 |
負 |
はない |
低下 |
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-07]↑ [A-20]↓ [A-18 解説・解答]
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A-20 |
アンテナの10 [MHz]におけるインピーダンスが、図のスミスチャートにおいてP点の位置であった。アンテナのリアクタンス成分を打ち消すためには、アンテナをどのように調整すればよいか。正しいものを下の番号から選べ。ただし、アンテナのR(抵抗)成分は50 [Ω]とし、座標の数値は正規化されているものとする。
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1 |
2000/π [pF]のコンデンサをアンテナに直列に接続する。 |
2 |
2000/π [pF]のコンデンサをアンテナに並列に接続する。 |
3 |
1000/π [pF]のコンデンサをアンテナに直列に接続する。 |
4 |
1000/π [mH]のコイルをアンテナに直列に接続する。 |
5 |
1000/π [mH]のコイルをアンテナに並列に接続する。 |
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Fig.H3412A20a
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-18]↑ [A-24]↓ [A-20 解説・解答]
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A-24 |
次の記述は、図に示す構成例を用いたFM(F3E)送信機の占有周波数帯幅の測定法について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には、同じ字句が入るものとする。
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(1) |
疑似音声発生器からの規定の擬似音声信号を送信機に加え、所定の変調を行った周波数変調波を疑似負荷に出力する。スペクトルアナライザを所定の動作条件とし、規定の占有周波数帯幅[A]の帯域を掃引し、所定の数のサンプル点で測定した各電力値の和から全電力を求める。 |
(2) |
測定する最低の周波数から高い周波数の方向に掃引して得たそれぞれの電力値を順次加算したとき、その電力が全電力の[B][%]になる周波数f1 [Hz]を求める。 |
(3) |
次に、測定する最高の周波数から低い周波数の方向に掃引して得たそれぞれの電力値を順次加算したとき、その電力が全電力の[B][%]になる周波数f2 [Hz]を求めると、占有周波数帯幅は[C]{Hz]となる。 |
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A |
B |
C |
1 |
の2〜3.5倍程度 |
1.0 |
f2−f1 |
2 |
の2〜3.5倍程度 |
0.5 |
f2−f1 |
3 |
の2〜3.5倍程度 |
1.0 |
f1+f2 |
4 |
と同程度 |
0.5 |
f1+f2 |
5 |
と同程度 |
1.0 |
f1+f2 |
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Fig.H3412A24a
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[Top]↑ [End]↓ |
[A-20]↑ [End]↓ [A-24 解説・解答]
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