既出・類問については、以下の表から類似問題の解答・解説を参照下さい。 (H21年度以降は新問のみを解答・解説の対象としています。)
|
|
A-01 |
図に示すように、真空中で√2 [m]離れた点a及びbにそれぞれ点電荷Q1=1×10-9 [C]及びQ2=-1×10-9 [C]が置かれているとき、線分abの中点cから線分abに垂直方向に√2/2 [m]離れた点dの電界の強さの値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、真空の誘電率をε0 [F/m]としたとき、1/(4πε0)=9×109とする。
|
|
1 |
3√2 [V/m] |
2 |
6√2 [V/m] |
3 |
9√2 [V/m] |
4 |
12√2 [V/m] |
5 |
15√2 [V/m] |
|
Fig.H3209A01a
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-01]↑ [A-02]↓ [A-01 解説・解答]
|
|
A-02 |
図に示す環状鉄心Mの内部に生ずる磁束φを表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、漏れ磁束及び磁気飽和はないものとする。
|
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-01]↑ [A-03]↓ [A-02 解説・解答]
|
|
A-03 |
図に示す抵抗R=50 [Ω]で作られた回路において、端子ab間の合成抵抗の値として、正しいものを下の番号から選べ。
|
|
Fig.H3209A03a
|
1 |
25 [Ω] |
2 |
50 [Ω] |
3 |
100 [Ω] |
4 |
150 [Ω] |
5 |
200 [Ω] |
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-02]↑ [A-04]↓ [A-03 解説・解答]
|
|
A-04 |
次の記述は、図に示す回路の各種電力と力率について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、交流電圧Vを100 [V]、回路に流れる電流Iを2 [A]とする。
|
|
(1) |
皮相電力は、[A][VA}である。 |
(2) |
有効電力(消費電力)は、[B][W]である。 |
(3) |
力率は、[C]{%]である。 |
|
|
A |
B |
C |
|
1 |
282 |
200 |
80 |
|
2 |
282 |
160 |
50 |
|
3 |
200 |
200 |
50 |
|
4 |
200 |
160 |
80 |
|
5 |
200 |
200 |
80 |
|
|
Fig.H3209A04a
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-03]↑ [A-05]↓ [A-04 解説・解答]
|
|
A-05 |
図に示すLC直列回路のリアクタンスの周波数特性を表す特性曲線図として、正しいものを下の番号から選べ。
|
|
Fig.H3209A05a
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-04]↑ [A-06]↓ [A-05 解説・解答]
|
|
A-06 |
次の記述は、セラミック発振子について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
|
|
(1) |
セラミック発振子は、圧電セラミックの圧電効果を利用したものであり、その電気的等価回路は水晶振動子と[A]。 |
(2) |
発振させるためには、一般にコルピッツ発振回路の[B]と置き換える方法が採用されている。 |
(3) |
温度変化による周波数安定性は水晶振動子より[C]、安価に大量生産されるようになったことから、電子機器の高周波発振、高周波フィルタ等に利用されている。 |
|
|
A |
B |
C |
1 |
同様である |
コイル |
劣るが |
2 |
同様である |
コンデンサ |
劣るが |
3 |
同様である |
コンデンサ |
優れ |
4 |
異なる |
コンデンサ |
劣るが |
5 |
異なる |
コイル |
優れ |
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-05]↑ [A-07]↓ [A-06 解説・解答]
|
|
A-07 |
次の記述は、図に示すNチャネル接合形の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
|
|
(1) |
一般に、ドレイン・ソース間には、[A]の電圧を加えて用いる。 |
(2) |
FETの相互コンダクタンスgmは、電圧及び電流の変化分をΔとすれば、gm=[B]で表される。 |
(3) |
(1)の場合、VGS=0 [V]のとき、IDは[C]。 |
|
Fig.H3209A07a
|
|
A |
B |
C |
|
1 |
Dに負(-)、Sに正(+) |
ΔID/ΔVDS |
流れない |
|
2 |
Dに負(-)、Sに正(+) |
ΔID/ΔVGS |
流れる |
|
3 |
Dに負(-)、Sに正(+) |
ΔID/ΔVGS |
流れない |
|
4 |
Dに正(+)、Sに負(-) |
ΔID/ΔVGS |
流れる |
|
5 |
Dに正(+)、Sに負(-) |
ΔID/ΔVDS |
流れない |
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-06]↑ [A-09]↓ [A-07 解説・解答]
|
|
A-09 |
図1に示すように、トランジスタTr1及びTr2をダーリントン接続した回路を、図2に示すように一つのトランジスタTr0とみなしたとき、Tr0のエミッタ接地直流電流増幅率hFE0を表す近似式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Tr1及びTr2のエミッタ接地直流電流増幅率をそれぞれhFE1及びhFE2とし、hFE1≫1、hFE2≫1とする。
|
|
1 |
hFE0≒hFE1+hFE2 |
2 |
hFE0≒hFE1−hFE2 |
3 |
hFE0≒hFE1hFE2 |
4 |
hFE0≒√(hFE1hFE2) |
5 |
hFE0≒2(hFE12−hFE22) |
|
Fig.H3209A09a
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-07]↑ [A-13]↓ [A-09 解説・解答]
|
|
A-13 |
次の記述は、可変容量ダイオード(可変静電容量)を使用した原理的な直接FM(F3E)変調回路の例について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には同じ字句が入るものとする。
|
(1) |
可変容量ダイオードは、PN接合ダイオードに[A]電圧をかけたときに生ずる、[B]を誘電体とする一種のコンデンサであり、バイアス電圧の値の変化により[B]の厚さが変化するため静電容量が変化する。 |
|
(2) |
図において、信号波が加わると可変静電容量Cd [F]が変化することにより、破線で囲まれた共振回路の周波数が信号波の電圧に応じて変化する。共振回路のコイルのインダクタンスをL [H]、コンデンサの静電容量をC [F]とすれば、結合コンデンサCCのリアクタンスが共振周波数に対して十分小さいとき、共振周波数はおおよそ[C]となり、トランジスタTrからFM変調波が出力される。 |
|
Fig.H3209A13a
|
|
A |
B |
C |
|
1 |
逆バイアス |
反転層 |
|
|
2 |
逆バイアス |
空乏層 |
|
|
3 |
逆バイアス |
空乏層 |
|
|
4 |
順バイアス |
空乏層 |
|
|
5 |
順バイアス |
反転層 |
|
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-09]↑ [A-16]↓ [A-13 解説・解答]
|
|
A-16 |
図に示す変圧器T、ダイオードD及びコンデンサCで構成される全波整流回路において、Tの二次側実効値電圧が各100 [V]の単一正弦波であるとき、無負荷のときの各ダイオードDに印加される逆方向電圧の最大値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、各ダイオードDの特性は同一とする。
|
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-13]↑ [A-18]↓ [A-16 解説・解答]
|
|
A-18 |
次の記述は、5/8波長垂直接地アンテナについて述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、大地は完全導体とする。
|
|
1 |
利得は1/4波長垂直接地アンテナより高い。 |
2 |
頂部付近で電流分布が最大になる。 |
3 |
入力インピーダンスは、1/4波長垂直接地アンテナより高い。 |
4 |
水平面内の指向性は、全方向性である。 |
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-16]↑ [A-19]↓ [A-18 解説・解答]
|
|
A-19 |
次の記述は、図に示すアンテナの指向特性例について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
|
|
(1) |
半値角は、主ローブの電界強度が最大放射方向の値の[A]になる二つの方向で挟まれた角度θで表される。 |
(2) |
このアンテナの半値角は、[B]とも呼ばれる。 |
(3) |
指向特性の最大放射方向の電界強度をEf、その反対方向の電界強度をEbとするとき、前後比は[C]で表される。 |
|
|
A |
B |
C |
1 |
1/√2 |
ビーム幅 |
Ef/Eb |
2 |
1/√2 |
放射効率 |
Eb/Ef |
3 |
1/2 |
放射効率 |
Eb/Ef |
4 |
1/2 |
ビーム幅 |
Ef/Eb |
|
Fig.H3209A19a
|
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-18]↑ [A-22]↓ [A-19 解説・解答]
|
|
A-22 |
超短波(VHF)帯通信において、受信局(移動局)のアンテナの高さが1 [m]であるとき、送受信局間の電波の見通し距離が20.6 [km]となる送信局のアンテナの高さとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、大気は標準大気とする。
|
|
1 |
10.3 [m] |
2 |
16.0 [m] |
3 |
22.5 [m] |
4 |
32.0 [m] |
5 |
40.4 [m] |
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-19]↑ [B-05]↓ [A-22 解説・解答]
|
|
B-05 |
次の記述は、法令等に基づくアマチュア局の送信設備の「スプリアス発射の強度」及び「不要発射の強度」の測定について、図を基にして述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下の番号から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には、同じ字句が入るものとする。
|
|
Fig.H3209B05a
|
(1) |
「[ア]におけるスプリアス発射の強度」の測定は、無変調状態において、スプリアス発射の強度を測定し、その測定値が許容値内であることを確認する。 |
(2) |
「[イ]における不要発射の強度」の測定は、[ウ]状態において、中心周波数fC [Hz]から必要周波数帯幅BN [Hz]の±250 [%]離れた周波数を境界とした[イ]における不要発射の強度を測定し、その測定値が許容値内であることを確認する。 |
(3) |
SSB(J3E)送信機の変調信号に疑似音声を使用するときの入力電圧の値は、1,500 [Hz]の正弦波で空中線電力が飽和レベルの[エ][%]程度となる変調入力電圧と同じ値とする。 |
(4) |
電信(A1A)送信機の変調を電鍵操作により行うときの通信速度は、[オ]とする。 |
|
1 BN |
2 fc |
3 25ボー |
4 無変調 |
5 80 |
6 帯域外領域 |
7 スプリアス領域 |
8 5ボー |
9 変調 |
10 50 |
|
[Top]↑ [End]↓ |
[A-22]↑ [End]↓ [B-05 解説・解答]
|
|