□ H20年12月期 A-08  Code:[HC0405] : FET増幅回路の種類の名称と、各々の特性の対応
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	トランジスタにも足が3本あり、それぞれを接地する方式の回路が3種類ありますが、FETにも同様に3種類の接地方式があります。トランジスタと同じ、とは書いたものの、FETでのそれぞれの接地方式には、具体的には以下のようになります。記号はMOS FETで書いていますが、接合形でも原理は同じです。 ［１］ドレイン接地回路 　ドレイン接地回路は、ソースフォロワと言った方がなじみが深いかもしれません。 　トランジスタ回路で言う、エミッタフォロワとほぼ同じ動作をします。ミラー効果が無視できるので、周波数特性は良好ですが、ソース接地と同様、出力インピーダンスは負荷抵抗と同じになるので、これまた負荷抵抗はあまり大きくできません。電圧利得の上限は出力インピーダンスの条件と電圧振幅が取れるかどうかで決まります。入出力の位相は同相です。 　また、図からわかるように、ゲートよりも電位が低いので、電圧利得は1より小さくなります。 　入力インピーダンスは、元々FETのゲートに入力するので高く取れます。緩衝増幅器（バッファ）として主に用いられます。 Fig.HC0405_a ドレイン接地回路の構成 　Fig.HC0405_aの左は原理図、です。実際の回路では同図右側のように設計します。ドレインは交流的に接地ですが、電源に接続されている、ということは電位的には一定（交流的に接地）ですので、その役割を果たします。 ［２］ソース接地回路 　ソース接地回路はトランジスタ回路で言う、エミッタ接地とほぼ同じです。 Fig.HC0405_b ソース接地回路の構成 　負荷抵抗ＲLを大きく取って、電圧利得を大きくすると、ミラー効果が大きくなりますので、他の接地方式と比べて、周波数特性はあまり良くはなりません。出力インピーダンスは負荷抵抗と同じになるので、これまた負荷抵抗はあまり大きくできません。入出力の位相が逆になるのも電圧利得が1より大きく取れるのもエミッタ接地と同じです。 　一方、入力インピーダンスはトランジスタと違い、FETの特性で決まりますので、高くなります。 　Fig.HC0405_bの左はバイアス回路などを除いた原理図ですが、実際の回路では同図右側のように設計します。 　ソースは交流的に接地ですが、Ｃ3がその役割を果たします。 ［３］ゲート接地回路 　ゲート接地回路は、トランジスタ回路で言うベース接地回路に当たります。他の２つと異なり、電流が流れるソースに入力しますので、入力インピーダンスは低くなります。 　また、ゲートが交流的に接地されているので、ミラー効果は原理的に発生せず、周波数特性は良好です。負荷抵抗ＲLを大きくすることで、電圧利得を大きくすることができます。 　Fig.HC0405_c左が原理図です。実際の回路では同図右側のように設計します。ゲートは交流的に接地ですが、Ｃ1がその役割を果たします。 Fig.HC0405_c ゲート接地回路の構成 それでは、解答に移ります。 　Ａ…ソース接地回路はトランジスタのエミッタ接地に相当します 　Ｂ…ドレイン接地回路の出力は小さいインピーダンスです 　Ｃ…ゲート接地回路は、出力から入力への帰還量が少ない構成です となりますから、正解は２と分かります。
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