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■ 無線工学を学ぶ
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(1) 無線工学の基礎
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年度別出題一覧
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H11年 4月期,8月期,12月期
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H12年 4月期,8月期,12月期
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H13年 4月期,8月期,12月期
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H14年 4月期,8月期,12月期
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H15年 4月期,8月期,12月期
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H17年 4月期,8月期,12月期
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H20年 4月期,8月期,12月期
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H21年 4月期,8月期,12月期
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H23年 4月期,8月期,12月期
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H24年 4月期,8月期,12月期
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H25年 4月期,8月期,12月期
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H26年 4月期,8月期,12月期
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H27年 4月期,8月期,12月期
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H28年 4月期,8月期,12月期
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H29年 4月期,8月期,12月期
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H30年 4月期,8月期,12月期
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R01年 4月期,8月期,12月期
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R02年 4月期,9月期,12月期
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R03年 4月期,9月期,12月期
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R04年 4月期,8月期,12月期
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分野別出題一覧
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A 電気物理, B 電気回路
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C 能動素子, D 電子回路
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E 送信機, F 受信機
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G 電源, H アンテナ&給電線
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I 電波伝搬, J 計測
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2022年 |
12/31 12月期問題頁掲載 |
09/01 08月期問題頁掲載 |
05/14 04月期問題頁掲載 |
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無線工学 > 1アマ > R02年09月期 > A-13 |
A-13 |
次の記述は、可変容量ダイオード(可変静電容量)を使用した原理的な直接FM(F3E)変調回路の例について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には同じ字句が入るものとする。
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(1) |
可変容量ダイオードは、PN接合ダイオードに[A]電圧をかけたときに生ずる、[B]を誘電体とする一種のコンデンサであり、バイアス電圧の値の変化により[B]の厚さが変化するため静電容量が変化する。 |
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(2) |
図において、信号波が加わると可変静電容量Cd [F]が変化することにより、破線で囲まれた共振回路の周波数が信号波の電圧に応じて変化する。共振回路のコイルのインダクタンスをL [H]、コンデンサの静電容量をC [F]とすれば、結合コンデンサCCのリアクタンスが共振周波数に対して十分小さいとき、共振周波数はおおよそ[C]となり、トランジスタTrからFM変調波が出力される。 |
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Fig.H3209A13a
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A |
B |
C |
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1 |
逆バイアス |
反転層 |
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2 |
逆バイアス |
空乏層 |
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3 |
逆バイアス |
空乏層 |
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4 |
順バイアス |
空乏層 |
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5 |
順バイアス |
反転層 |
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